ZDNet Korea’ya göre SK hynix, 1c DRAM için altı EUV katmanına geçmeye hazırlanıyor.Bu hamle, DDR5 ve HBM tarafında performansı yukarı taşıyacak ve şirkete liderlik avantajı getirecek. Adım, Samsung’un 1c DRAM alanındaki hamlelerine güçlü bir yanıt niteliğinde. Koreli üretici, yeni süreci ölçekleyerek tüketici ve veri merkezi çözümlerini güçlendirmeyi planlıyor.
EUV litografisi 13,5 nm dalga boyu ile en karmaşık devreleri daha az adımda basmayı sağlıyor.SK hynix, 1c DRAM’de altı EUV katmanına tam geçiş yaparak önceki EUV+DUV karmasından uzaklaşıyor. Bu sayede verim artıyor. Performans yükseliyor. Kârlılık da buna paralel olarak güçleniyor.
1c DRAM henüz yaygın tüketici belleklerinde kullanılmıyor.Buna rağmen SK hynix, daha büyük kapasiteli DDR5 seçeneklerini masada tutuyor. Üretici, uzun vadede EUV’yi yol haritasının merkezine alıyor. 1d ve 0a nesillerinde de EUV entegrasyonu planlanıyor. Şirket, High‑NA EUV için de hazırlık yapıyor.
EUV’ye tam entegrasyon, daha yoğun, daha hızlı ve daha verimli DDR5 modüllerinin önünü açıyor.Ayrıca daha yüksek kapasiteli HBM yığınlarında verim artışı bekleniyor. 1c DRAM’in HBM4 ile sahneye ağırlık koyması bekleniyor. Bu da yapay zeka hızlandırıcılarında ve sunucularda ciddi performans sıçraması getirebilir.
Kaynak: wccftech.com
