Akıllı telefonlar için DRAM ve bellek üreticileri, cihaz içi yapay zeka kullanımını hızlandıracak ve mevcut teknolojideki performans kısılmasını azaltacak daha hızlı ve verimli yongalar üzerinde çalışıyor. Bellekte teknoloji tarafında Samsung’u geride bırakan SK hynix, akıllı telefonlardaki ısınma sorununu hedefleyen ve sektörde ilk kez kullanılan bir “Kalıplama Bileşiği” ile üretilen yeni nesil mobil DRAM tedarikine başladığını duyurdu. Şirket, yeni belleğin ısıl iletkenliğinin yüzde 350 arttığını söylüyor.
SK hynix’in yeni malzemesi “Yüksek-K Epoksi Kalıplama Bileşiği” olarak adlandırılıyor. Firma, bu sayede ısının dikey yöndeki yayılımında termal direncin yüzde 47 iyileştiğini belirtiyor. Pek çok anakartta mobil DRAM, SoC’un (yonga) kalıbının üstüne istifleniyor. Yoğun yüklerde oluşan fazla ısı, bu tasarımda performans düşüşüne yol açabiliyor. Yine de üreticiler, alan kazandırdığı ve DRAM ile yonga arasındaki veri yolunu kısaltıp aktarımı hızlandırdığı için bu mimariyi tercih ediyor.
Yeni bileşikle üretilen belleklerin, akıllı telefonlarda hem performansı hem de pil ömrünü iyileştirmesi bekleniyor. SK hynix’te Paket Ürün Geliştirme’den sorumlu Lee Gyu-jei, Yüksek-K Epoksi Kalıplama Bileşiği kullanımını sadece bir hız artışı değil, üst seviye telefon kullanıcılarının yaşadığı önemli sorunlara doğrudan çözüm olarak görüyor ve şirketin yeni nesil mobil DRAM pazarında teknolojik liderliği hedeflediğini vurguluyor.
The Korea Herald’ın haberine göre SK hynix, Silika karışımına Alümina ekleyerek ısıl iletkenliği artıran çözümü bulmuş. Bu karışım Epoksi Kalıplama Bileşiği’ne entegre edildiğinde ısı transferi belirgin şekilde iyileşiyor. Bu DRAM’lerin pazarda ne zaman yaygınlaşacağı net değil. Ancak 2026’da çıkacak amiral gemisi telefonlarda bu teknolojiyi görürsek şaşırmayız.
Kaynak: wccftech.com
