Samsung’un sıradaki amiral gemisi Galaxy S26 serisi şimdiden teknoloji gündeminde. Şirket, S25’te öne çıkan yapay zekâ odağını korurken donanım tarafında da büyük bir sıçrama hedefliyor.Özellikle Ultra modelinde bellek performansında ciddi bir artış bekleniyor. Bu sızıntılar, merakın daha da artmasına neden oldu.
X’te paylaşılan bir gönderiye göre, ünlü sızıntıcı Ice Universe, Galaxy S26 Ultra’nın Micron’un en yeni LPDDR5X belleğiyle 10,7 Gbps hıza ulaşacağını söylüyor. Bu değer, S25 Ultra’daki 9,6 Gbps’e kıyasla anlamlı bir yükseliş.Oyun oynayanlar ve yoğun çoklu görev yapanlar için bu fark doğrudan hissedilecek. Ayrıca söylentiler, daha rafine bir tasarım, daha ince ve daha hafif bir gövde ile geliştirilmiş optiklerin de yolda olduğunu iddia ediyor.
Bu artışın arkasında Micron’un 1γ (1‑gamma) nesil DRAM mimarisi var. Yeni mimari, 1β (1‑beta) nesline göre daha iyi güç verimliliği ve daha akıcı çoklu görev sunuyor.Yüksek talep gören iş yüklerinde artan bellek bant genişliği kararlılığı ve performansı yukarı taşıyacak. Günlük kullanımda hız farkı her zaman dramatik olmayabilir ama uzun oyun seansları ve ağır uygulamalarda etkisi net görülecek.
Samsung’un son dönemde yapay zekâ özelliklerine verdiği önem düşünülürse RAM tarafındaki bu yükseltme kritik. Kulis bilgilerine göre Galaxy S26 Ultra, Snapdragon 8 Elite 2 çipiyle eşleşirse performans tarafında güçlü bir kombinasyon oluşturacak.Rakipler bellek ve depolama hızlarını agresif biçimde artırırken Samsung’un yeni bir Android performans çıtası koyması bekleniyor. Bu hamleler, hem pil ömründe hem de tepe performansta çift yönlü kazanım getirebilir.
Kaynak: wccftech.com
