SK hynix, 321 katmanlı 2 Tb QLC NAND flaş yongasını tamamladığını ve seri üretime geçtiğini duyurdu. QLC tarafında 300+ katman barajını geçen ilk çözüm olarak öne çıkan bu yeni nesil NAND, yoğunlukta yeni bir çıta koyuyor. Şirket, küresel müşteri doğrulaması tamamlandıktan sonra ürünü gelecek yılın ilk yarısında piyasaya çıkarmayı planlıyor.
SK hynix, maliyeti aşağı çekmek için mevcut çözümlerin kapasitesini ikiye katlayan 2 Tb’lık bir kalıp geliştirdi. Büyük kapasiteli NAND’larda görülen performans düşüşünü önlemek için çip içindeki bağımsız çalışma birimi sayısını (plane) 4’ten 6’ya çıkardı. Bu sayede paralel işlem artıyor ve aynı anda okuma hızları belirgin şekilde yükseliyor.
Yeni 321 katmanlı QLC, önceki QLC nesillerine göre hem kapasiteyi hem de hızı ileri taşıyor. Veri aktarım hızı iki katına çıktı. Yazma performansı yüzde 56’ya kadar, okuma performansı ise yüzde 18 artış gösteriyor. Yazma sırasında güç verimliliği de yüzde 23’ün üzerinde iyileşti. Düşük güç tüketimi, özellikle AI odaklı veri merkezlerinde ciddi avantaj demek.
Yol haritasında ilk durak PC SSD’leri. Ardından veri merkezlerine yönelik kurumsal SSD’ler (eSSD) ve akıllı telefonlar için UFS çözümleri gelecek. Şirket, tek pakette aynı anda 32 NAND kalıbını istiflemeye imkân veren 32DP teknolojisini kullanarak entegrasyon yoğunluğunu ikiye katlamayı ve AI sunucuları için ultra yüksek kapasiteli eSSD pazarına güçlü bir giriş yapmayı hedefliyor.
Şirketin NAND Geliştirme Başkanı Jeong Woopyo, seri üretimle yüksek kapasiteli ürün yelpazesini güçlendirdiklerini ve maliyet tarafında avantaj sağladıklarını belirtti. Artan AI talebi ve veri merkezlerinde yükselen performans beklentilerine paralel olarak “tam yığın” bir AI bellek tedarikçisi olma hedefini vurguladı.
Kaynak: wccftech.com
